IDT IC62C1024AL-55W

安装类型

通孔

表面安装

NO

终端数量

32

Contact Materials

Silver Cadmium Oxide (AgCdO)

Turn Off Voltage (Min)

2.4 VDC

Turn On Voltage (Max)

19.2 VDC

CoilResistance

650 Ohms

Package Description

0.600 INCH, DIP-32

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP32,.6

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IC62C1024AL-55W

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Silicon Solution Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

Risk Rank

5.88

操作温度

-40°C ~ 55°C

系列

PCLH, OEG

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

终端样式

PC引脚

JESD-30代码

R-PDIP-T32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.08 mA

触点形式

SPDT (1 Form C)

组织结构

128KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

继电器类型

通用型

运行时间

15ms

线圈电压

24VDC

线圈型

无锁存

切换电压

250VAC, 24VDC - Max

记忆密度

1048576 bit

线圈电流

37.5mA

发布时间

8ms

触点额定值(电流)

15A

线圈功率

900 mW

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

特征

Insulation - Class F

达到SVHC

compliant