IDT IDT6167S-85LB

安装类型

SMD

表面安装

YES

终端数量

20

型芯材料

Ceramic

MSL

n/a

Shield

Unshielded

RoHS

有

Package Style

CHIP CARRIER

Number of Words Code

16000

Package Body Material

CERAMIC

Package Equivalence Code

LCC20,.3X.43

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

6

Access Time-Max

85 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT6167S-85LB

Number of Words

16384 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

QCCN

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.92

Usage Level

Military grade

操作温度

-40...+125°C

系列

WE-KI

容差

±5 %

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

端子间距

1.27 mm

JESD-30代码

R-XQCC-N20

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

MILITARY

注意

n/a

电感,电感

0,018 uH

测试频率

100 MHz

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.06 mA

组织结构

16KX1

输出特性

3-STATE

内存宽度

1

大小

1008

记忆密度

16384 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

标准SRAM

自谐振频率

2 700 MHz

特征

-

达到SVHC

not_compliant