IDT70V3569S5BFGI8详情
IDT IDT70V3569S5BFGI8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
208
Package Description
TFBGA, BGA208,17X17,32
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
16000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA208,17X17,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
5 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IDT70V3569S5BFGI8
Clock Frequency-Max (fCLK)
100 MHz
Number of Words
16384 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.13
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
PIPELINED OUTPUT MODE; SELF TIMED WRITE CYCLE
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
引脚数量
208
JESD-30代码
S-PBGA-B208
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.45 V
电源
2.5/3.3,3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.15 V
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.415 mA
组织结构
16KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.03 A
记忆密度
589824 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
3.15 V
宽度
15 mm
长度
15 mm
达到SVHC
compliant
IDT70V3569S5BFGI8拓展信息








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