IDT72V01L35JG详情
IDT IDT72V01L35JG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
Cu/Sn
终端数量
32
RoHS
有
Part Package Code
QFJ
Risk Rank
5.42
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Part Life Cycle Code
活跃
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
QCCJ
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Number of Words
512 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
22.2 MHz
Manufacturer Part Number
IDT72V01L35JG
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
35 ns
Reflow Temperature-Max (s)
30
Package Equivalence Code
LDCC32,.5X.6
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
512
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Style
CHIP CARRIER
Package Description
QCCJ, LDCC32,.5X.6
系列
AI
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
RETRANSMIT
HTS代码
8542.32.00.71
子类别
FIFOs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PQCC-J32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
注意
-
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.06 mA
组织结构
512X9
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.55 mm
内存宽度
9
大小
0,34mm2
绝缘材料
有
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
4608 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
其他先进先出
输出启用
NO
周期
45 ns
长度
13.97 mm
宽度
11.43 mm
长度 - 整体
10,5 mm
达到SVHC
compliant
IDT72V01L35JG拓展信息








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