IDT8M824S60CB详情
IDT IDT8M824S60CB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Panel Mount, Through Hole
表面安装
NO
越来越多的功能
Bulkhead - Front Side Nut
外壳材料
Composite
插入材料
-
终端数量
32
后壳材料,电镀
-
Voltage, Rating
-
Package
Bulk
Primary Material
Composite
Base Product Number
CTV07RW
厂商
Amphenol Aerospace Operations
Product Status
活跃
Contact Materials
Copper Alloy
Contact Finish Mating
Gold
Package Style
微电子组件
Number of Words Code
128000
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Equivalence Code
DIP32,.6
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
60 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IDT8M824S60CB
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.87
Usage Level
Military grade
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
MIL-DTL-38999 Series III, Tri-Start™ HD
JESD-609代码
e0
终端
Solder
ECCN 代码
3A001.A.2.C
连接器类型
Receptacle, Male Pins
定位的数量
88
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
颜色
橄榄色
应用
Military
附加功能
TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
HTS代码
8542.32.00.41
紧固类型
Threaded
子类别
SRAMs
额定电流
-
技术
CMOS
端子位置
DUAL
方向
C
终端形式
THROUGH-HOLE
屏蔽/屏蔽
Shielded
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
入口保护
抗环境干扰
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
not_compliant
外壳完成
橄榄色镉
外壳尺寸-插入
19-88
JESD-30代码
R-CDMA-T32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
外壳尺寸,MIL
-
电源电流-最大值
0.265 mA
电缆开口
-
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.08 A
记忆密度
1048576 bit
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
SRAM MODULE
待机电压-最小值
4.5 V
特征
校准盘
触点表面处理厚度 - 配套
50.0µin (1.27µm)
材料可燃性等级
-
IDT8M824S60CB拓展信息








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