对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 包装 | 系列 | 容差 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 温度系数 | 电阻 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 额定功率 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 端子间距 | Reach合规守则 | 引脚数量 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 操作模式 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 组织结构 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 产品类别 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 并行/串行 | 内存IC类型 | 备用内存宽度 | 输出启用 | 周期 | 产品 | 产品类别 | 高度 | 长度 | 宽度 | |||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDT72V2103L7-5PF | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | YES | 80 | 3 | 131072 words | 128000 | 70 °C | PLASTIC/EPOXY | LQFP | QFP80,.64SQ | SQUARE | FLATPACK, LOW PROFILE | 3.3 V | 20 | Non-Compliant | IDT72V2103L7-5PF | 无 | Obsolete | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC | QFP | PLASTIC, TQFP-80 | 7.89 | 5 ns | 133.3 MHz | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 70 °C | 0 °C | ALTERNATIVE MEMORY WIDTH 9; ASYNCHRONOUS MODE ALSO POSSIBLE | 8542.32.00.71 | QUAD | 鸥翼 | 240 | 1 | 0.65 mm | not_compliant | 80 | S-PQFP-G80 | 不合格 | 3.45 V | 3.3 V | COMMERCIAL | 3.15 V | SYNCHRONOUS | 0.035 mA | 5 ns | 128KX18 | 1.6 mm | 18 | 0.015 A | 2359296 bit | PARALLEL | 其他先进先出 | 9 | YES | 7.5 ns | 14 mm | 14 mm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDT72V2103L10PF | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 80 | 70 °C | 无 | IDT72V2103L10PF | 100 MHz | 131072 words | 3.3 V | LQFP | SQUARE | Integrated Device Technology Inc | Obsolete | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC | 5.3 | QFP | PLASTIC, TQFP-80 | FLATPACK, LOW PROFILE | 3 | 128000 | PLASTIC/EPOXY | QFP80,.64SQ | 20 | 6.5 ns | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | ALTERNATIVE MEMORY WIDTH 9; ASYNCHRONOUS MODE ALSO POSSIBLE | 8542.32.00.71 | FIFOs | CMOS | QUAD | 鸥翼 | 240 | 1 | 0.65 mm | not_compliant | 80 | S-PQFP-G80 | 不合格 | 3.45 V | 3.3 V | COMMERCIAL | 3.15 V | SYNCHRONOUS | 0.035 mA | 128KX18 | 1.6 mm | 18 | 0.015 A | 2359296 bit | PARALLEL | 其他先进先出 | 9 | YES | 10 ns | 14 mm | 14 mm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDT72V2103L15PFG | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 80 | 70 °C | 有 | IDT72V2103L15PFG | 66.7 MHz | 131072 words | 3.3 V | LQFP | SQUARE | Integrated Device Technology Inc | 活跃 | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC | 5.41 | QFP | LQFP, QFP80,.64SQ | FLATPACK, LOW PROFILE | 3 | 128000 | PLASTIC/EPOXY | QFP80,.64SQ | 30 | 10 ns | e3 | 有 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | ALTERNATIVE MEMORY WIDTH 9; ASYNCHRONOUS MODE ALSO POSSIBLE | 8542.32.00.71 | FIFOs | CMOS | QUAD | 鸥翼 | 260 | 1 | 0.65 mm | compliant | 80 | S-PQFP-G80 | 不合格 | 3.45 V | 3.3 V | COMMERCIAL | 3.15 V | SYNCHRONOUS | 0.035 mA | 128KX18 | 1.6 mm | 18 | 0.015 A | 2359296 bit | PARALLEL | 其他先进先出 | 9 | YES | 15 ns | 14 mm | 14 mm | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDT72V2103L7-5BCI | Renesas | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 100 | - 55 C | 0.000074 oz | + 155 C | 0603 | 1608 | Details | Royalohm | Royalohm | PCB 安装 | 5000 | Reel | Current Sensing Thick Film (AEC-Q200 Compliant) | 5 % | 1500 PPM / C | 15 mOhms | 85 °C | -40 °C | 汽车级 | Resistors | 200 mW (1/5 W) | 厚膜 | SMD/SMT | 5 ns | 厚膜电阻器 | 贴片厚膜电阻器 | Thick Film Resistors - SMD | 0.45 mm | 1.6 mm | 0.8 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDT72V2103L7-5PFI | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 80 | 131072 words | 128000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | QFP | QFP80,.64SQ | SQUARE | FLATPACK | 3.3 V | 20 | IDT72V2103L7-5PFI | 无 | Obsolete | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC | TQFP-80 | 5.92 | 5 ns | 133.3 MHz | 3 | e0 | 无 | EAR99 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 8542.32.00.71 | QUAD | 鸥翼 | 240 | 1 | 0.635 mm | not_compliant | S-PQFP-G80 | 不合格 | 3.45 V | 3.3 V | INDUSTRIAL | 3.15 V | SYNCHRONOUS/ASYNCHRONOUS | 0.035 mA | 128KX18 | 18 | 0.015 A | 2359296 bit | PARALLEL | 其他先进先出 | 9 | YES | 7.5 ns | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDT72V2103L10PFI | Renesas | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | Compliant | 85 °C | -40 °C | 10 ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IDT72V2103L7-5PFGI | Integrated Device Technology (IDT) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 80 | 133.3 MHz | 3 | 131072 words | 128000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | LQFP | QFP80,.64SQ | SQUARE | FLATPACK, LOW PROFILE | 3.3 V | 30 | IDT72V2103L7-5PFGI | 有 | 活跃 | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC | QFP | LQFP, QFP80,.64SQ | 5.22 | 5 ns | e3 | 有 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | ALTERNATIVE MEMORY WIDTH 9; ASYNCHRONOUS MODE ALSO POSSIBLE | 8542.32.00.71 | QUAD | 鸥翼 | 260 | 1 | 0.65 mm | compliant | 80 | S-PQFP-G80 | 不合格 | 3.45 V | 3.3 V | INDUSTRIAL | 3.15 V | SYNCHRONOUS | 0.035 mA | 128KX18 | 1.6 mm | 18 | 0.015 A | 2359296 bit | PARALLEL | 其他先进先出 | 9 | YES | 7.5 ns | 14 mm | 14 mm |
IDT72V2103L7-5PF
Renesas Electronics America
分类:Integrated Circuits (ICs)
IDT72V2103L10PF
Integrated Device Technology (IDT)
分类:Logic - FIFOs Memory
IDT72V2103L15PFG
Integrated Device Technology (IDT)
分类:Logic - FIFOs Memory
IDT72V2103L7-5BCI
Renesas
分类:Logic - FIFOs Memory
IDT72V2103L7-5PFI
Integrated Device Technology (IDT)
分类:Integrated Circuits (ICs)
IDT72V2103L10PFI
Renesas
分类:Logic - FIFOs Memory
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Integrated Device Technology (IDT)
分类:Integrated Circuits (ICs)


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