Infineon 013X

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

SI1013X-T1-GE3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Vishay Siliconix

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

VISHAY SILICONIX

Risk Rank

7.3

Part Package Code

SC-89

Drain Current-Max (ID)

0.35 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

低阈值

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-F3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.35 A

漏极-源极导通最大电阻

1.2 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.275 W