020N03MS详情
Infineon 020N03MS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Frequency-Self-Resonant
7.9GHz
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
中央技术
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BSC020N03MSGATMA1
Package Shape
RECTANGULAR
Drain Current-Max (ID)
25 A
Risk Rank
1.62
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Samacsys Description
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
Infineon Technologies AG
操作温度
-40°C ~ 125°C
系列
ct0805csf
容差
±10%
JESD-609代码
e3
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
类型
Wirewound
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
电感,电感
3.3 nH
直流电阻(DCR)
80mOhm
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0025 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
400 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
200 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
020N03MS拓展信息








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