02N60C3详情
Infineon 02N60C3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
表面安装
NO
供应商器件包装
Axial
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Base Product Number
RWR89
厂商
Vishay Dale
Product Status
活跃
Package Description
GREEN, PLASTIC, TO-251, IPAK-3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
SPU02N60C3BKMA1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
1.62
Part Package Code
TO-251AA
Drain Current-Max (ID)
1.8 A
操作温度
-55°C ~ 250°C
系列
Military, MIL-PRF-39007, RWR89S
尺寸/尺寸
0.187 Dia x 0.560 L (4.75mm x 14.22mm)
容差
±1%
JESD-609代码
e3
无铅代码
无
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±650ppm/°C
电阻
162 mOhms
端子表面处理
Tin (Sn)
组成
Wirewound
功率(瓦特)
3W
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
失败率
S (0.001%)
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-251AA
漏极-源极导通最大电阻
3 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
5.4 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
50 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
Military, Moisture Resistant
座位高度(最大)
-
02N60C3拓展信息








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