Infineon 032N06

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

NO

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

National Semiconductor

Product Status

活跃

Voltage-Input

-

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPP032N06N3GXKSA1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

0.88

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

120 A

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

容差

±1%

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

温度系数

50ppm/°C

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

输出类型

可调式

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

输出电流

20 mA

电流源

-

电压 - 输出（最小值/固定）

1.24V

晶体管应用

SWITCHING

参考类型

Shunt

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

电压 - 输出（最大值）

5.3 V

漏极-源极导通最大电阻

0.0032 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

235 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

阴极电流

45 µA

噪音- 0.1Hz至10Hz

-

噪音- 10Hz至10kHz

50µVrms