Infineon 03N50C3

包装/外壳

0402 (1005 Metric)

表面安装

YES

供应商器件包装

0402

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

CRCW0402

厂商

Vishay Dale

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

SPD03N50C3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.67

Part Package Code

TO-252AA

Drain Current-Max (ID)

3.2 A

操作温度

-55°C ~ 155°C

系列

CRCW

尺寸/尺寸

0.039 L x 0.020 W (1.00mm x 0.50mm)

容差

±1%

无铅代码

有

终止次数

2

温度系数

±100ppm/°C

电阻

3.6 Ohms

组成

厚膜

功率(瓦特)

0.063W, 1/16W

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

失败率

-

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.2 A

漏极-源极导通最大电阻

1.4 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

9.6 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

38 W

特征

Automotive AEC-Q200

座位高度(最大)

0.016 (0.40mm)

评级结果

AEC-Q200