Infineon 057N08N3G

安装类型

通孔

包装/外壳

Radial

表面安装

NO

介电材料

Polypropylene (PP), Metallized

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

--

Voltage Rating DC

1000V (1kV)

Voltage Rating AC

300V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPA057N08N3GXKSA1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.66

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

60 A

操作温度

-55°C ~ 105°C

系列

MKP336 6

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.492 L x 0.157 W (12.50mm x 4.00mm)

容差

±20%

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

终端

PC引脚

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

应用

EMI, RFI Suppression

电容量

1500pF

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

引线间距

0.394 (10.00mm)

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0057 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

雪崩能量等级（Eas）

290 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

特征

--

座位高度(最大)

0.394 (10.00mm)

达到SVHC

compliant

评级结果

Y2