Infineon 059N03S

安装类型

通孔

包装/外壳

Radial, Can - Snap-In

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

表面贴装的焊盘尺寸

-

厂商

United Chemi-Con

Product Status

活跃

Voltage Rated

250 V

Lifetime @ Temp.

3000 Hrs @ 105°C

Package

Bulk

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSC059N03SG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.79

Drain Current-Max (ID)

17.5 A

系列

KMM

操作温度

-25°C ~ 105°C

尺寸/尺寸

1.378 Dia (35.00mm)

容差

±20%

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.29.00.95

电容量

1200 µF

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F8

资历状况

不合格

ESR（等效串联电阻）

207mOhm @ 120Hz

引线间距

0.394 (10.00mm)

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

极化

Polar

纹波电流@低频

2.6 A @ 120 Hz

操作模式

增强型MOSFET

纹波电流@高频

3.9 A @ 50 kHz

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

73 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0086 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

150 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

48 W

座位高度(最大)

1.850 (47.00mm)

评级结果

-