059N15N3详情
Infineon 059N15N3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
26 Weeks
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2SA153D
Manufacturer
Miscellaneous
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
1.64
Drain Current-Max (ID)
155 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PSSO-F2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.0059 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
620 A
DS 击穿电压-最小值
150 V
雪崩能量等级(Eas)
520 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
375 W
059N15N3拓展信息








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