Infineon 060NE2LS

工厂交货时间

26 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

Radial

表面安装

YES

介电材料

Polypropylene (PP), Metallized

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

--

Voltage Rating DC

--

Voltage Rating AC

--

Package Description

GREEN, PLASTIC, TSDSON-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSZ060NE2LSATMA1

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

N-Channel MOSFET, 40 A, 25 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ060NE2LSATMA1

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

0.9

Drain Current-Max (ID)

12 A

操作温度

-55°C ~ 85°C

系列

MKP420

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.492 L x 0.197 W (12.50mm x 5.00mm)

容差

--

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

终端

PC引脚

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

应用

High Frequency, Switching

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

S-PDSO-N3

引线间距

0.394 (10.00mm)

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0081 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

16 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

特征

长寿命

座位高度(最大)

0.433 (11.00mm)

评级结果

--