Infineon 065N15N

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bag

Base Product Number

DTS24G13

厂商

TE Connectivity Deutsch 连接器

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPB065N15N3GATMA1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

IPB065N15N3GATMA1 N-Channel MOSFET, 130 A, 150 V OptiMOS 3, 7-Pin D2PAK Infineon

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.62

Part Package Code

TO-263

Drain Current-Max (ID)

130 A

系列

*

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263

漏极-源极导通最大电阻

0.0065 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

520 A

DS 击穿电压-最小值

150 V

雪崩能量等级（Eas）

780 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

not_compliant