067N06详情
Infineon 067N06重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
表面安装
YES
供应商器件包装
16-SO
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Voltage - Supply Span (Max)
36 V
Package
Bulk
厂商
凌力尔特
Product Status
活跃
Voltage - Supply Span (Min)
20 V
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BSC067N06LS3GATMA1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
0.85
Drain Current-Max (ID)
15 A
操作温度
0°C ~ 70°C
系列
LT®
JESD-609代码
e3
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
不合格
输出类型
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
电路数量
2
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
电流源
1.7mA (x2 Channels)
压摆率
13V/µs
放大器类型
J-FET
晶体管应用
SWITCHING
输入偏正电流
10 pA
增益带宽积
5 MHz
极性/通道类型
N-CHANNEL
电压 - 输入断态
300 µV
漏极-源极导通最大电阻
0.0067 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
47 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
067N06拓展信息








哦! 它是空的。