Infineon 076N12N

安装类型

Surface Mount, MLCC

包装/外壳

1812 (4532 Metric)

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

Vishay Vitramon

Product Status

Obsolete

Voltage Rated

50V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPP076N12N3GXKSA1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

INFINEON - IPP076N12N3GXKSA1 - MOSFET, N-CH, 120V, 100A, TO-220

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.67

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

100 A

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

VJ OMD

尺寸/尺寸

0.183 L x 0.126 W (4.65mm x 3.20mm)

容差

±5%

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

温度系数

C0G, NP0

端子表面处理

Tin (Sn)

应用

敏感型

电容量

15 pF

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

引线间距

-

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

引线样式

-

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0076 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400 A

DS 击穿电压-最小值

120 V

雪崩能量等级（Eas）

230 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

特征

Soft Termination, High Voltage

座位高度(最大)

-

厚度（最大）

0.086 (2.18mm)

达到SVHC

compliant

评级结果

-