Infineon 079N03S

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-XFDFN

表面安装

YES

供应商器件包装

6-XSON (0.9x1)

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

74AUP2G34

厂商

Nexperia USA Inc.

Product Status

活跃

Number of Elements

2

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

3

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSC079N03SG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.64

Drain Current-Max (ID)

14.6 A

操作温度

-40°C ~ 125°C (TA)

系列

74AUP

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

子类别

FET 通用电源

电压 - 供电

0.8V ~ 3.6V

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F5

资历状况

不合格

输出类型

Push-Pull

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

输入类型

-

晶体管应用

SWITCHING

高/低输出电流

4mA, 4mA

逻辑类型

Buffer, Non-Inverting

极性/通道类型

N-CHANNEL

每个元素的比特数

1

最大漏极电流 (Abs) (ID)

40 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0116 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

60 W