Infineon 07N120

安装类型

通孔

包装/外壳

Radial, Vertical Cylinder

表面安装

NO

供应商器件包装

Radial, Vertical Cylinder

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Frequency-Self-Resonant

-

Package

Bulk

Inductance Frequency-Test

1 kHz

厂商

中央技术

Product Status

活跃

Material-Core

-

Current - Saturation (Isat)

1.6A

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

56 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

520 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

SGP07N120

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Rise Time-Max (tr)

24 ns

Risk Rank

8.56

Part Package Code

TO-220AB

操作温度

-25°C ~ 85°C

系列

CTDR1F

尺寸/尺寸

0.669 Dia (17.00mm)

容差

±10%

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Drum Core, Wirewound

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

屏蔽/屏蔽

Unshielded

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

电感,电感

180 µH

直流电阻（DCR）

217mOhm Max

箱体转运

COLLECTOR

谐振@频率

-

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大耗散功率(Abs)

125 W

集电极电流-最大值(IC)

16.5 A

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5 V

最大下降时间 (tf)

61 ns

特征

-

座位高度(最大)

0.866 (22.00mm)

评级结果

-