07N60详情
Infineon 07N60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
1 Week
安装类型
Surface Mount, MLCC
包装/外壳
0402 (1005 Metric)
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
VJ0402
厂商
Vishay Vitramon
Product Status
活跃
Voltage Rated
25V
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
SPA07N60C3
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Samacsys Description
MOSFET N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
7.29
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
7.3 A
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
VJ HIFREQ
尺寸/尺寸
0.040 L x 0.020 W (1.02mm x 0.51mm)
容差
±0.25pF
无铅代码
有
温度系数
C0G, NP0
应用
RF, Microwave, High Frequency
附加功能
雪崩 额定
电容量
0.9 pF
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
引线间距
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
引线样式
-
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.3 A
漏极-源极导通最大电阻
0.6 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
21.9 A
DS 击穿电压-最小值
600 V
雪崩能量等级(Eas)
230 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
32 W
特征
High Q, Low Loss
座位高度(最大)
-
厚度(最大)
0.024 (0.61mm)
评级结果
-
07N60拓展信息








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