Infineon 07N65C3

包装/外壳

Cylinder

表面安装

NO

供应商器件包装

-

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Base Product Number

US631

厂商

TE Connectivity 测量专业产品

Product Status

Obsolete

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

SPA07N65C3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

8.51

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

7.3 A

操作温度

-50°C ~ 125°C

系列

US600

无铅代码

有

应用

工业自动化

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

电压 - 供电

4.75V ~ 5.25V

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

输出量

0.5 V ~ 4.5 V

引脚数量

3

终端样式

Cable

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

输出类型

Analog Voltage

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

准确性

±0.1%

晶体管应用

SWITCHING

工作压力

15PSI (103.42kPa)

压力类型

通风压力表

端口样式

Threaded

极性/通道类型

N-CHANNEL

端口尺寸

Male - 1/4 (6.35mm) NPT

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7.3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.6 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

21.9 A

最大压力

45PSI (310.26kPa)

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

230 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

32 W

特征

放大输出