Infineon 084N06L

工厂交货时间

1 Week

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Brand

Cornell Dubilier - CDE

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

19

Manufacturer

Cornell Dubilier

RoHS

N

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPI084N06L3GXKSA1

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Samacsys Description

Infineon IPI084N06L3GXKSA1 N-channel MOSFET Transistor, 50 A, 60 V, 3-Pin TO-262

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

8.63

Part Package Code

TO-262AA

Drain Current-Max (ID)

50 A

系列

CMR05

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

电容量

75 pF

子类别

Capacitors

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

云母电容器

JEDEC-95代码

TO-262AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0084 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

43 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

79 W

产品类别

云母电容器

达到SVHC

compliant