24N50L-T3P-T详情
Infineon 24N50L-T3P-T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Drain Current-Max (ID)
24 A
Risk Rank
5.66
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
Unisonic Technologies Co Ltd
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
24N50L-T3P-T
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.24 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
96 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
1100 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC
compliant
24N50L-T3P-T拓展信息








哦! 它是空的。