5N65G-TA3-T详情
Infineon 5N65G-TA3-T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Surface Mount, MLCC
包装/外壳
0603 (1608 Metric)
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rated
200V
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
VJ0603
厂商
Vishay Vitramon
Product Status
活跃
Package Description
HALOGEN FREE, TO-220, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
5N65G-TA3-T
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Unisonic Technologies Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Risk Rank
5.58
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
4.5 A
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
VJ HIFREQ
尺寸/尺寸
0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)
容差
±0.25pF
温度系数
C0G, NP0
应用
RF, Microwave, High Frequency
电容量
3.6 pF
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
引线间距
-
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
引线样式
-
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.5 A
漏极-源极导通最大电阻
2.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
18 A
DS 击穿电压-最小值
650 V
雪崩能量等级(Eas)
210 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
100 W
特征
High Q, Low Loss
座位高度(最大)
-
厚度(最大)
0.037 (0.94mm)
达到SVHC
compliant
评级结果
-
5N65G-TA3-T拓展信息








哦! 它是空的。