Infineon APT1001R1HVR

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

APT1001R1HVR

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC

Package Description

FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3

Risk Rank

5.26

Drain Current-Max (ID)

8.4 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-MSFM-P3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-258AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9 A

漏极-源极导通最大电阻

1.2 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

33.6 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

雪崩能量等级（Eas）

1210 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

200 W