BAS70-04WE6327详情
Infineon BAS70-04WE6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
表面安装
YES
供应商器件包装
PG-SOT323-3-1
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Package
Bulk
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)
70mA (DC)
Package Description
R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BAS70-04WE6327
Power Dissipation (Max)
0.25 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Rochester Electronics LLC
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS INC
Risk Rank
5.57
系列
-
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
哑光锡
技术
SCHOTTKY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
速度
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
100 nA @ 50 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1 V @ 15 mA
工作温度 - 结点
150°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
70 V
二极管配置
1 Pair Series Connection
重复峰值反向电压
70
反向恢复时间(trr)
100 ps
二极管电容-最大值
2 pF
BAS70-04WE6327拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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