BCX70JE6327详情
Infineon BCX70JE6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
SOT-23-3
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
PG-SOT23
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
BCX70JE6327
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.35
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
40
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Transistor Polarity
NPN
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
330 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
250
Collector-Emitter Saturation Voltage
200 mV
Unit Weight
0.000282 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
48000
Mounting Styles
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT
250 MHz
Part # Aliases
BCX7JE6327XT SP000010556 BCX70JE6327HTSA1
Brand
Infineon Technologies
Maximum DC Collector Current
100 mA
DC Current Gain hFE Max
460
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
45 V
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
系列
BCX70
包装
MouseReel
操作温度
150°C (TJ)
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
哑光锡
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE
功率耗散
330
功率 - 最大
330 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
250 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
20nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
550mV @ 1.25mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45 V
转换频率
250
频率转换
250MHz
集电极基极电压(VCBO)
45 V
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
90
连续集电极电流
100
集电极-发射器电压-最大值
45 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
宽度
1.3 mm
高度
1 mm
长度
2.9 mm
BCX70JE6327拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








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