BDP947H6327详情
Infineon BDP947H6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-SMD, No Lead
Package
Strip
厂商
SiTime
Product Status
活跃
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
5 W
Transistor Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Unit Weight
0.003785 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Mounting Styles
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Part # Aliases
SP000748376 BDP947H6327XT BDP947H6327XTSA1
Manufacturer
Infineon
Brand
Infineon Technologies
Maximum DC Collector Current
3 A
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
45 V
操作温度
-20°C ~ 70°C
系列
SiT9120
包装
MouseReel
尺寸/尺寸
0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
类型
XO (Standard)
子类别
Transistors
技术
Si
电压 - 供电
3.3V
频率
148.5 MHz
频率稳定性
±20ppm
输出量
LVDS
功能
Enable/Disable
基本谐振器
MEMS
最大电流源
55mA
配置
Single
扩频带宽
-
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
集电极基极电压(VCBO)
45 V
绝对牵引范围 (APR)
-
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
座位高度(最大)
0.039 (1.00mm)
评级结果
-
BDP947H6327拓展信息








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