BDP953H6327XTSA1/SN详情
Infineon BDP953H6327XTSA1/SN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
4
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
BDP953H6327XTSA1/SN
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.77
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
5 W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-G4
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
100 V
最大集电极电流
3 A
集电极基极电压(VCBO)
120 V
集电极电流-最大值(IC)
3 A
最小直流增益(hFE)
15
集电极-发射器电压-最大值
100 V
达到SVHC
compliant
BDP953H6327XTSA1/SN拓展信息








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