Infineon BF999

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Enclosure

TO 236 3

Manuf. code

INF

Max. operating temperature

+150°C

Casing

SOT 23

Channels#

1

Content

1pc(s)

Power (max) P(TOT)

200mW

Manufacturer

Infineon Technologies

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BF999

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

不推荐

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.19

Part Package Code

SOT-23

Drain Current-Max (ID)

0.03 A

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

BF 999

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.03 A

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

最高频段

甚高频段

功率增益-最小值(Gp)

25 dB