BFP182R详情
Infineon BFP182R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
150 V
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
8000 MHz
Manufacturer Part Number
BFP182R
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.29
容差
0.1 %
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
温度系数
100 ppm/°C
电阻
360 kΩ
端子表面处理
哑光锡
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
附加功能
低噪音
子类别
其他晶体管
额定功率
500 mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
0.035 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
12 V
最高频段
L带
集电极-基极电容-最大值
0.4 pF
高度
650 µm
BFP182R拓展信息








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