BFP640ESD详情
Infineon BFP640ESD重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
表面安装
YES
供应商器件包装
--
终端数量
4
晶体管元件材料
硅锗碳
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
46000 MHz
Manufacturer Part Number
BFP640ESD
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.6
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
MBB/SMA 0207 - Professional
包装
Tape & Box (TB)
尺寸/尺寸
0.098 Dia x 0.256 L (2.50mm x 6.50mm)
容差
±1%
无铅代码
有
零件状态
活跃
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±50ppm/°C
电阻
6.49 MOhms
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.6W
子类别
BIP 射频小信号
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
失败率
--
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
集电极电流-最大值(IC)
0.05 A
最小直流增益(hFE)
110
集电极-发射器电压-最大值
4.1 V
最高频段
X 频带
特征
Automotive AEC-Q200
座位高度(最大)
--
BFP640ESD拓展信息








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