BG3130E6327详情
Infineon BG3130E6327重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
6
质量
6.010099 mg
Voltage, Rating
8 V
Voltage Rating (DC)
55 V
RoHS
Compliant
Moisture Sensitivity Levels
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BG3130-E6327
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.84
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
FET 通用电源
最大功率耗散
200 mW
额定电流
25 mA
频率
800 MHz
元素配置
Dual
操作模式
DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
测试电流
14 mA
漏源电压 (Vdss)
8 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
25 mA
栅极至源极电压(Vgs)
6 V
增益
24 dB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.025 A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
噪声图
1.3 dB
测试电压
5 V
宽度
1.25 mm
高度
900 µm
长度
2 mm
达到SVHC
unknown
无铅
无铅
BG3130E6327拓展信息








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