BG5120K详情
Infineon BG5120K重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BG5120K
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.73
Drain Current-Max (ID)
0.02 A
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
端子表面处理
哑光锡
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
不合格
配置
COMPLEX
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.02 A
DS 击穿电压-最小值
12 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.2 W
达到SVHC
compliant
BG5120K拓展信息








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