Infineon BG5130R

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Product Status

活跃

Package

Bulk

厂商

Suntsu Electronics, Inc.

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BG5130R

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.81

Drain Current-Max (ID)

0.025 A

操作温度

0°C ~ 70°C

系列

SXT324

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

类型

兆赫晶体

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

13.56 MHz

频率稳定性

±50ppm

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

ESR（等效串联电阻）

100 Ohms

配置

COMPLEX

负载电容

12pF

操作模式

Fundamental

频率容差

±15ppm

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.025 A

DS 击穿电压-最小值

12 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

最高频段

超高频段

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

达到SVHC

compliant

评级结果

-