Infineon BSC022N03SGXT

表面安装

YES

底架

表面贴装

引脚数

8

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

BSC022N03SGXT

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5

Risk Rank

5.73

Drain Current-Max (ID)

28 A

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Voltage Rating (DC)

30 V

RoHS

Compliant

包装

卷带

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

Reach合规守则

compliant

额定电流

50 A

JESD-30代码

R-PDSO-F5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.8 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

9 ns

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

28 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.0033 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

输入电容

5.63 nF

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

800 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

无铅

无铅