Infineon BSC050N03LS G

包装/外壳

TDSON-8

表面安装

YES

材料

Aluminum

形状

Square, Fins

包装冷却

Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

材料处理

蓝色阳极氧化

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30 V

Typical Turn-On Delay Time

5.2 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1 V

Pd - Power Dissipation

50 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.003683 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

5000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

38 S

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP000269785 BSC5N3LSGXT BSC050N03LSGATMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

26 nC

Tradename

OptiMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

5 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

21 ns

Id - Continuous Drain Current

80 A

Package Description

GREEN, PLASTIC, TDSON-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSC050N03LSG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

0.79

Drain Current-Max (ID)

18 A

系列

pushPIN™

包装

MouseReel

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

顶部安装

端子表面处理

哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F8

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

附着方法

推销

离底高度(鳍的高度)

0.790 (20.00mm)

强制空气流动时的热阻

3.65°C/W @ 100 LFM

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

4 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

最大漏极电流 (Abs) (ID)

79 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0075 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

35 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

48 W

自然环境下的热阻

--

温度上升时的耗散功率

--

产品类别

MOSFET

宽度

2.362 (60.00mm)

长度

2.362 (60.00mm)

直径

--

高度

1.27 mm

达到SVHC

compliant