BSC050N03MS G详情
Infineon BSC050N03MS G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
材料
Aluminum
形状
Rectangular, Fins
包装冷却
Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)
材料处理
蓝色阳极氧化
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
GREEN, PLASTIC, TDSON-8
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BSC050N03MSG
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.63
Drain Current-Max (ID)
16 A
系列
pushPIN™
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
类型
顶部安装
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
雪崩 额定
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-F5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
附着方法
推销
离底高度(鳍的高度)
0.374 (9.50mm)
强制空气流动时的热阻
27.79°C/W @ 100 LFM
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
80 A
漏极-源极导通最大电阻
0.0063 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
320 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
35 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
50 W
自然环境下的热阻
--
温度上升时的耗散功率
--
宽度
1.575 (40.00mm)
长度
2.126 (54.01mm)
直径
--
BSC050N03MS G拓展信息








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