Infineon BSC097N06NS

包装/外壳

Axial

表面安装

YES

供应商器件包装

--

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60 V

Typical Turn-On Delay Time

6 ns

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

2.1 V

Pd - Power Dissipation

36 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 20 V, + 20 V

Unit Weight

0.003527 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

5000

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Transconductance - Min

24 S

Channel Mode

Enhancement

Part # Aliases

SP001067004 BSC097N06NSATMA1

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Qg - Gate Charge

15 nC

Tradename

OptiMOS

Rds On - Drain-Source Resistance

8 mOhms

RoHS

Details

Typical Turn-Off Delay Time

10 ns

Id - Continuous Drain Current

46 A

Package Description

GREEN, PLASTIC, TDSON-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSC097N06NS

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

1.62

Drain Current-Max (ID)

12 A

操作温度

-55°C ~ 155°C

系列

MRS25

包装

Tape & Box (TB)

尺寸/尺寸

0.098 Dia x 0.256 L (2.50mm x 6.50mm)

容差

±1%

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

温度系数

±50ppm/°C

电阻

8.45 kOhms

端子表面处理

哑光锡

组成

Metal Film

功率(瓦特)

0.6W

子类别

MOSFETs

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-F5

失败率

--

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

2 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

MOSFET

晶体管类型

1 N-Channel

漏极-源极导通最大电阻

0.0097 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

184 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

13 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

特征

--

产品类别

MOSFET

座位高度(最大)

--

宽度

5.15 mm

高度

1.27 mm

长度

5.9 mm