BSC889N03LSG E8178详情
Infineon BSC889N03LSG E8178重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
PEI-Genesis
Product Status
活跃
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
BSC889N03LSGE8178
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.82
Drain Current-Max (ID)
13 A
系列
*
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.009 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
180 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
10 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC
compliant
BSC889N03LSG E8178拓展信息








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