Infineon BSD213

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Box

厂商

施耐德电气

Product Status

Obsolete

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Drain Current-Max (ID)

0.05 A

Risk Rank

5.34

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

恩智浦半导体

Package Shape

ROUND

Manufacturer Part Number

BSD213

Operating Temperature-Max

125 °C

操作温度

-25°C ~ 55°C

系列

XU

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 供电

12V ~ 24V

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

入口保护

IP67

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

输出配置

PNP-NC/NO

电缆长度

78.74 (2m)

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SUBSTRATE

回应时间

-

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

调整类型

-

感应距离

3.937 (100mm)

JEDEC-95代码

TO-72

漏极-源极导通最大电阻

45 Ω

感测方法

Diffuse

DS 击穿电压-最小值

10 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

连接方法

Cable

光源

Infrared