Infineon BSF073NE2LQ G

表面安装

YES

材料

Aluminum

形状

Square, Fins

包装冷却

Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

材料处理

蓝色阳极氧化

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

GREEN, METAL, WDSON-2

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSF073NE2LQG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.83

Drain Current-Max (ID)

14 A

系列

pushPIN™

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

顶部安装

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

引脚数量

2

JESD-30代码

R-MBCC-N2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

附着方法

推销

离底高度(鳍的高度)

0.590 (15.00mm)

强制空气流动时的热阻

15.39°C/W @ 100 LFM

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0142 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

30 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

28 W

自然环境下的热阻

--

温度上升时的耗散功率

--

宽度

1.772 (45.00mm)

长度

1.772 (45.00mm)

直径

--

达到SVHC

unknown