Infineon BSL802SN-L6327

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

6

材料

Aluminum

形状

Rectangular, Fins

包装冷却

Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...)

材料处理

蓝色阳极氧化

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

20 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSL802SNL6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.81

Part Package Code

TSOP

Drain Current-Max (ID)

7.5 A

系列

pushPIN™

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

顶部安装

电阻

18 mΩ

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

2 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

附着方法

推销

离底高度(鳍的高度)

0.450 (11.43mm)

强制空气流动时的热阻

14.61°C/W @ 100 LFM

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2 W

上升时间

30 ns

漏源电压 (Vdss)

20 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

7.5 A

阈值电压

550 mV

栅极至源极电压(Vgs)

8 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.022 Ω

漏源击穿电压

20 V

输入电容

1.347 nF

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2 W

漏源电阻

22 mΩ

最大rds

22 mΩ

栅源电压

550 mV

自然环境下的热阻

--

反馈上限-最大值 (Crss)

77 pF

温度上升时的耗散功率

--

宽度

2.400 (60.96mm)

长度

2.280 (57.90mm)

直径

--

达到SVHC

无SVHC