Infineon BSL806NL6327

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-TSOP6-6

终端数量

6

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.3A

厂商

Infineon Technologies

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSL806NL6327

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.75

Part Package Code

TSOP

Drain Current-Max (ID)

2.3 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

OptiMOS™

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

500mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

57mOhm @ 2.3A, 2.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

750mV @ 11µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

259pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.7nC @ 2.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.3 A

漏极-源极导通最大电阻

0.057 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

28.6 pF