Infineon BSM100GAR120DN2

安装类型

表面贴装

包装/外壳

24-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

表面安装

NO

供应商器件包装

24-TSSOP

终端数量

7

晶体管元件材料

SILICON

Frequency-Max

233MHz

Package Description

MODULE-5

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Nom (ton)

210 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

470 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BSM100GAR120DN2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.73

Part Package Code

MODULE

操作温度

0°C ~ 85°C

系列

--

包装

Tube

零件状态

活跃

子类别

绝缘栅BIP晶体管

电压 - 供电

2.3 V ~ 2.7 V

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

基本部件号

ICS95V847

输出量

SSTL-2

引脚数量

5

JESD-30代码

R-XUFM-X7

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

电路数量

1

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Clock

比率-输入：输出

1:5

锁相环

有

差分 - 输入：输出

Yes/Yes

主要目的

Memory, DDR

最大耗散功率(Abs)

800 W

集电极电流-最大值(IC)

100 A

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

栅极-发射极电压-最大值

20 V

VCEsat-最大值

3 V