BSM10GD100DN1详情
Infineon BSM10GD100DN1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
17
晶体管元件材料
SILICON
Risk Rank
5.28
Part Life Cycle Code
Transferred
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Shape
RECTANGULAR
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-T17
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Elements
6
Manufacturer Part Number
BSM10GD100DN1
Manufacturer
Siemens
Ihs Manufacturer
西门子 A G
端子位置
UPPER
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-T17
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极电流-最大值(IC)
10 A
集电极-发射器电压-最大值
1000 V
环境耗散-最大值
50 W
BSM10GD100DN1拓展信息








哦! 它是空的。