BSM75GD170DL详情
Infineon BSM75GD170DL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
19
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
MODULE-19
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Turn-on Time-Nom (ton)
200 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
930 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BSM75GD170DL
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
6
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.73
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
JESD-30代码
R-XUFM-X19
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
625 W
集电极电流-最大值(IC)
150 A
集电极-发射器电压-最大值
1700 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3.3 V
达到SVHC
compliant
BSM75GD170DL拓展信息








哦! 它是空的。