Infineon BSP129
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BSP129
1211-BSP129
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Depletion Mode Mosfet, 240V, 120Ma, Sot-223; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:240V; Continuous Drain Current Id:120Ma; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:1.7W Rohs Compliant: Yes /Infineon BSP129
1最小包装量--
BSP129详情
Infineon BSP129重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BSP129
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
1.29
Part Package Code
SOT-223
Drain Current-Max (ID)
0.35 A
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.2 A
漏极-源极导通最大电阻
20 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
1.4 A
DS 击穿电压-最小值
240 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.7 W
BSP129拓展信息







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