Infineon BSP135

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

零售包装

厂商

Glenair

Product Status

活跃

Manufacturer Part Number

BSP135

Rohs Code

有

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

小概要

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

MOSFET N-Channel 600V 0.12A SOT223 Infineon BSP135 N-channel MOSFET Transistor, 0.12 A, 600 V Depletion, 3+Tab-Pin SOT-223

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.09

Part Package Code

SOT-223

Drain Current-Max (ID)

0.12 A

系列

*

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

DEPLETION MODE

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1 A

漏极-源极导通最大电阻

45 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

0.48 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.7 W